[实用新型]一种半导体反应腔室有效
申请号: | 202320134824.2 | 申请日: | 2023-01-13 |
公开(公告)号: | CN219658682U | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 张新翌;陈景春 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/687;H01L21/683;H01L21/306 |
代理公司: | 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 | 代理人: | 李梦宁 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本实用新型提供了一种半导体反应腔室,涉及半导体制造设备技术领域,为解决升降机构带动边缘保护环升降过程中,极易发生晃动,致使边缘保护环与基环碰撞产生颗粒的问题。该半导体反应腔室中,基座的外缘设置多个第一导向结构,第一导向结构具有导向孔,多个升降杆分别一一对应地穿设于多个导向孔;升降杆包括相连的第一杆件和第二杆件,第一杆件沿升降方向与导向孔滑动配合,第二杆件与边缘保护环接触配合。本实用新型避免了边缘保护环因升降杆晃动而偏心导致的与基环碰撞的问题,从而有效防止了因边缘保护环与基环碰撞而产生颗粒的情形发生,而且,还能够保证边缘保护环与晶圆的同心。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 反应 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造