[实用新型]一种IGBT吸收电容引出焊片及IGBT吸收电容有效
| 申请号： | 202320262971.8 | 申请日： | 2023-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN219370796U | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 彭海红;李金洲 | 申请（专利权）人： | 四川中星电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01G4/228 | 分类号： | H01G4/228;H01G4/32;H01G4/33 |
| 代理公司： | 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217 | 代理人： | 廖敏 |
| 地址： | 611130 四川省成都市温江区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及电容器技术领域，具体而言，涉及一种IGBT吸收电容引出焊片及IGBT吸收电容，其中焊片包括焊片本体，所述焊片本体的一侧为与电容芯子电极端连接的焊接端，焊片本体的另一端为引出端；所述引出端包括相对焊片本体第一方向折弯的第一折弯部，以及相对第一折弯部向外折弯的第二折弯部，所述第二折弯部上设有加强筋结构。本实用新型所提供的一种IGBT吸收电容引出焊片及IGBT吸收电容，通过在焊片折弯处做加强筋结构，使焊片具有筋条，增加焊片的受力点，从而增强了焊片的抗振动能力，有效提高了两极焊片的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 吸收 电容 引出 | ||
【主权项】：
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