[实用新型]带抗脱落结构的厚膜晶片电阻有效
| 申请号： | 202320313457.2 | 申请日： | 2023-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN219610141U | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 张天仁 | 申请（专利权）人： | 大毅科技电子（东莞）有限公司 |
| 主分类号： | H01C1/148 | 分类号： | H01C1/148;H01C1/032 |
| 代理公司： | 东莞市明诺知识产权代理事务所(普通合伙) 44596 | 代理人： | 杨建荣 |
| 地址： | 523000*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及电阻技术领域，具体为带抗脱落结构的厚膜晶片电阻，厚膜晶片电阻包括基体，基体的底面开设有两个滑槽，滑槽的内壁上开设有滑孔，滑槽的一侧均开设有限位槽；镀锡层的底端安装有与限位槽插接配合的插条，插条上开设有卡孔；卡杆与卡孔卡接并将插条限制在限位槽内；通过设置的弹簧、导杆和卡杆等的作用下：即在弹簧的弹力作用下，抵紧滑块使得卡杆的末端卡入卡孔内，在卡杆的限制下，插条即被限制在限位槽内，配合插条与限位槽之间的插接配合，即可使得镀锡层和镀镍层被牢靠稳定地安装在基体的两端处，保证了镀锡层和镀镍层与基体之间的连接稳定性，保证了厚膜晶片电阻的正常使用。 | ||
| 搜索关键词： | 脱落 结构 晶片 电阻 | ||
【主权项】：
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