[实用新型]三相逆变电路中利用MOS内阻实现三电阻采样的采样电路有效
| 申请号： | 202320643683.7 | 申请日： | 2023-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN219351712U | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 叶开亮 | 申请（专利权）人： | 深圳市钜盛开发有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/12 | 分类号： | H03M1/12 |
| 代理公司： | 深圳科润知识产权代理事务所(普通合伙) 44724 | 代理人： | 孙长虹 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种三相逆变电路中利用MOS内阻实现三电阻采样的采样电路，包括三相逆变器驱动芯片、第五二极管、第十二电阻、第五二极管、第十一电阻、第十三电阻、第五电容、第四MOS管、第四电阻、运算放大器、第一二极管、第三电阻、第一电阻、第二电阻、第四二极管、第十电阻、第二二极管、第五电阻、第八电阻、第九电阻、第三电容、第三MOS管、第九电阻、12V电源正极、第三二极管、第二电容。与现有技术相比，本实用新型利用MOS内阻代替三电阻采样电阻中的采样电阻以实现相电流采样，最后利用运算放大器就可以实现相电流采样，整个电流采样电路结构简单，采样方便快捷。 | ||
| 搜索关键词： | 三相 电路 利用 mos 内阻 实现 电阻 采样 | ||
【主权项】：
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