[实用新型]一种工作在N258频段的单阻带频率选择表面结构有效

专利信息
申请号: 202320925397.X 申请日: 2023-04-23
公开(公告)号: CN219436155U 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: 侯铸;李燕;翁雪慧;陈玲英;王子畅 申请(专利权)人: 中国计量大学
主分类号: H01Q15/00 分类号: H01Q15/00;H01Q1/52
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 万尾甜;韩介梅
地址: 310018 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了一种工作在N258频段的单阻带频率选择表面结构,可用于5G拓展频段N258频段的天线屏蔽罩的设计中。所述的频率选择表面至少包含一个谐振单元,谐振单元由两层金属导体层和一层介质层组成;两层金属导体层分别位于介质层的上下表面,上层的金属导体层和下层的金属导体层通过金属过孔或者金属柱连接。本实用新型的选择表面结构具有轻薄化小型化的特点以及角度稳定和极化不敏感的特性(TE,TM模式下谐振点稳定),可实现全角度(垂直0°‑80°入射)的电磁综合防护效果。
搜索关键词: 一种 工作 n258 频段 单阻带 频率 选择 表面 结构
【主权项】:
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