[实用新型]一种降低开关栅极总电荷的N沟道增强型MOSFET器件有效
| 申请号： | 202321033801.9 | 申请日： | 2023-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN219800850U | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 涂长招;王力;袁益飞;严康;赖保良;黄周娟;伍彩霞 | 申请（专利权）人： | 福建康博电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 364000 福建省龙岩市新罗区东*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种降低开关栅极总电荷的N沟道增强型MOSFET器件，包括：衬底，所述衬底为掺杂有p‑离子的硅基片，所述衬底的底面开设有第一凹槽，所述衬底的顶面开设有第二凹槽；N型重掺杂区域，数量为两个，所述N型重掺杂区域为掺杂有n+离子的区域，分别形成在所述衬底的上端，两个所述N型重掺杂区域分别设置于所述第二凹槽的两侧；源极和漏极，分别电连接至所述N型重掺杂区域；金属填充区域，所述第一凹槽内填充相应的金属形成所述金属填充区域；绝缘层，覆盖设置于第二凹槽的上表面；栅极，填充于所述第二凹槽对应所述绝缘层以上的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 开关 栅极 电荷 沟道 增强 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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