[实用新型]一种锗单晶生长炉有效

专利信息
申请号: 202321336264.5 申请日: 2023-05-30
公开(公告)号: CN219689929U 公开(公告)日: 2023-09-15
发明(设计)人: 张建;李怀宇;吴建成;马敬涛;徐建雷;裴光华 申请(专利权)人: 保定晶泽光电技术有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/08
代理公司: 北京盛广信合知识产权代理有限公司 16117 代理人: 张军艳
地址: 071000 河北*** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 实用新型提供一种锗单晶生长炉,包括:炉体,炉体固接在底座上;保温炉,安装在炉体内,保温炉外侧壁底部设置有加热管,保温炉与炉体之间设置有散热通道,保温炉顶端开设有开口,开口内滑接有籽晶;散热件,散热件包括与开口对应设置的散热扇,散热扇与炉体滑接,散热扇上设置有锁紧件,散热扇通过锁紧件相对于保温炉固定;固定件,设置在底座内,固定件包括与底座滑接的两夹块,夹块的一端传动连接有驱动件,两夹块通过驱动件相向或相反运动,夹块用于稳固可升降的坩埚。本实用新型能够实现有效提高生长炉的散热效果,加快锗单晶生产效率,减小位错密度,提高晶体完整性。
搜索关键词: 一种 锗单晶 生长
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于保定晶泽光电技术有限公司,未经保定晶泽光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202321336264.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top