[实用新型]肖特基接触的沟槽型SiC JBS结构有效
| 申请号： | 202321519059.2 | 申请日： | 2023-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN219371034U | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 薄洪生;王哲;冯东明;徐永斌;单双;黄新颖;张治岗 | 申请（专利权）人： | 江苏昕感科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京惟专知识产权代理事务所(普通合伙) 16074 | 代理人： | 赵星 |
| 地址： | 214400 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种肖特基接触的沟槽型SiC JBS结构，属于半导体器件技术领域，该结构包括：N+型SiC衬底、N‑型外延层、设置在N‑型外延层中的相互间隔的多个倒梯形沟槽、设置在倒梯形沟槽底部的注入区、设置在多个倒梯形沟槽两侧的牺牲氧化层及场氧化层、设置在场氧化层上方的SiN层、设置在倒梯形沟槽的底部、侧壁以及顶面的肖特基接触金属层以及设置在N+型SiC衬底底部的欧姆接触金属层。本实用新型实施例提供的结构，能够在SiC JBS反向工作时，屏蔽倒梯形沟槽区域，保护后续形成的肖特基势垒区不受反向电压影响；并能够大幅度增加肖特基接触面积，产生更多的正面导通电流，降低SiC JBS的比导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 接触 沟槽 sic jbs 结构 | ||
【主权项】：
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