[其他]两色分波硅彩色传感器无效
| 申请号： | 85100237 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85100237A | 公开（公告）日： | 1986-07-23 |
| 发明（设计）人： | 陈伟秀;张烽生 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L31/10 |
| 代理公司： | 武汉大学专利事务所 | 代理人： | 龚茂铭 |
| 地址： | 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种两色分波硅彩色传感器，它利用反偏PN结和重掺杂硅衬底作为内部光学滤色器，实现了光谱剪裁和分波，克服了双结硅光电二极管光谱响应曲线的重迭问题。这种两色分波硅彩色传感器，可以取代传统的由二块滤色片和二个光敏元件组成的测色探头，使用方便，又简化了测色装置，降低了测色仪器的成本，特别适用于自动化生产线上对生产过程的监控。 | ||
| 搜索关键词： | 两色分波硅 彩色 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种两色分波硅彩色传感器，其特征在于由三个深度不同的PN结(1)、PN结(2)和PN结(3)构成单片集成光敏器件，利用内部光学滤色器进行光谱剪裁和分波。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
