[其他]台面型半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 85100501 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85100501A | 公开（公告）日： | 1986-08-13 |
| 发明（设计）人： | 何德湛;陈益清;胡顺帆;何启丁;严光华;徐元森 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金研究所;上海无线电29厂 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L29/72 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海市长宁*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是台面型半导体器件的制造方法。采用金刚砂轮刀在已形成半导体器件图形的基片上的管芯二边开槽形成井字形的台面。所开的槽与p-n结界面接近垂直。用这种台面制造方法特别适用于制造高压大功率晶体管，可提高制得器件的击穿电压，减少二次击穿，烧结时又不易引起焊料造成的短路，提高了器件的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 台面 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、本发明属于半导体器件台面的制造方法，其特征是使用金刚砂轮刀开槽在有半导体器件图形的基片上形成台面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
