[其他]含有氧化钇、氧化镧和氧化铝的氮化硅陶瓷及制造方法无效

专利信息
申请号: 85100510 申请日: 1985-04-01
公开(公告)号: CN85100510A 公开(公告)日: 1986-08-13
发明(设计)人: 徐友仁;黄莉萍;符锡仁 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B35/58 分类号: C04B35/58
代理公司: 中国科学院上海专利事务所 代理人: 潘振甦
地址: 上海市长宁*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于热压氮化硅陶瓷及制造方法,提供的材料具有在高温下断裂韧性增高的特性,适用于作为高温热机耐热部件及切削工具材料,其高温断裂韧性(1300℃以上)高于仅以稀土氧化物为添加剂的热压Si3N4和其他Si3N4陶瓷。本发明提供材料含有0.5~1%(重量)Y2O3、2-20%(重量)La2O3和0.01~10%(重量)Al2O3。
搜索关键词: 含有 氧化钇 氧化 氧化铝 氮化 陶瓷 制造 方法
【主权项】:
1、一种含有添加物的热压氮化硅材料,其特征在于同时添加y2O3、La2O3和Al2O3,它们的添加量分别为0.5~10%(重量)y2O3,2~20%(重量)La2O3,0.01~10%(重量)Al2O3。
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