[其他]一种双层结构的低压化学蒸汽淀积外延炉管装置无效
| 申请号： | 85100531 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85100531A | 公开（公告）日： | 1986-08-20 |
| 发明（设计）人： | 王季陶;张世理 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/365 |
| 代理公司： | 复旦大学专利事务所 | 代理人： | 庄杏凤 |
| 地址： | 上海市邯郸*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于电子工业中制备集成电路及其它半导体器件的薄膜工艺设备。在外延工艺中，由于石英管与硅或其它外延物质的热膨胀系数不同，在高温、低压下容易造成外延石英炉管的损裂。本发明采用双层结构炉管，即外管用耐高温且密封性能良好的材料，内管用耐高温且对半导体外延片的性能不产生严重影响的材料做成。可将LPCVD薄膜技术应用到外延中来，可以达到提高外延的生产效率，降低生产成本，改善外延层的厚度与掺杂均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双层 结构 低压 化学 蒸汽 外延 炉管 装置 | ||
【主权项】：
1、电子工业中制备集成电路及其它半导体器件的薄膜工艺设备，一种用于低压化学蒸气淀积(LPCVD)外延的炉管装置，其特征在于：上述炉管为由外层炉管[1]和内层衬管[2]组成的双层结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
