[其他]变折射率薄膜的单源真空沉积法无效
| 申请号： | 85100569 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85100569B | 公开（公告）日： | 1988-06-01 |
| 发明（设计）人： | 庞叔鸣 | 申请（专利权）人： | 南京工学院 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;C23C14/00 |
| 代理公司： | 南京工学院专利事务所 | 代理人： | 楼高潮,柯景凤 |
| 地址： | 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于薄膜的制备方法。目前，关于变折射率材料(光纤、成像元件、光波导等)的制造方法较多，大多纯属化学法。真空蒸发法及溅射法又只能得到均匀折射率薄膜。本发明是采用单个电子束蒸发源，实行真空蒸发，在基底上获得变折射率薄膜，是一种物理法。此法获得变折射率膜的关键是膜科的选配工艺和采用电子束定域加热。此法与化学法相比，在制备工艺上具有较大的自由度的优点。本发明适用于制备微型光学元件或光集成元件所需的变折射率薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 折射率 薄膜 真空 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种由两种镀膜材料制成混合膜料，采用单个电子束蒸发源的变折射率薄膜制备方法，其特征在于：混合膜料是由满足真空蒸发条件的不同折射率和熔点的锭膜材料混合、热压成柱体块料，电子束沿柱体轴向由上向下的路径对柱体块料进行定域加热蒸发，在基底上沉积形成变折射率薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京工学院，未经南京工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/85100569/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：水上行走器
- 下一篇：内控电光分幅式高速全息摄影仪
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
