[其他]低Qm的钛酸铅压电陶瓷材料无效
| 申请号： | 85100705 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85100705B | 公开（公告）日： | 1986-08-06 |
| 发明（设计）人： | 王世长 | 申请（专利权）人： | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号： | C04B35/46 | 分类号： | C04B35/46 |
| 代理公司： | 中国科学院声学研究所专利办公室 | 代理人： | 刘文意 |
| 地址： | 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种低Qm的钛酸铅压电陶瓷材料，其组成为Pb(1-x)[Pb]xTiO3并添加1.27克分子%稀土金属氧化物和0.9克分子%二氧化锰。其中0.02≦X≦0.17；此材料具有极低Qm值和Kt﹥﹥Kp的优良特性；它客服了锆钛酸铅陶瓷的Qm值过大，Kt与Kp值相近的缺点，也克服了偏铌酸铅陶瓷烧成困难，成本高的缺点，还克服了一般钛酸铅陶瓷Qm过高的缺点。它可以应用于超声探伤等方面。 | ||
| 搜索关键词： | qm 钛酸铅 压电 陶瓷材料 及其 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种低Qm值的压电陶瓷材料，以钛酸铅为基料，加入稀土金属氧化物和二氧化锰，其特征在于其组成为Pb(1-x)[Pb]xTiO3，其中0.02≦X≦0.17，并含有1.27克分子%的稀土金属氧化物和0.9克分子%的二氧化锰。
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