[发明专利]制备单晶硅片表面完整层的新途径无效
| 申请号： | 85100856.9 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1008452B | 公开（公告）日： | 1990-06-20 |
| 发明（设计）人： | 陈燕生;马纪东;刘桂荣 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C30B31/00 | 分类号： | C30B31/00;C30B33/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京科技大学专利代理事务所 | 代理人： | 刘建民 |
| 地址： | 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路用半导体材料的制备技术。发明人利用中子辐照氢气氛下区熔单晶硅。经切、磨、抛后，硅片实行两次热处理的方法，获得单晶硅片由于体内氢沉淀造成的表面完整层，为集成电路用硅材料提供了新的可能途径。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 单晶硅 表面 完整 新途径 | ||
【主权项】：
1、具有表面完整层的单晶硅片的制备方法，它是在氢气氛下以区熔方法拉制的单晶硅经电阻率由500～1000欧姆·厘米降至5～15欧姆·厘米的中子辐照，再经切、磨、抛后在空气或氮气氛下热处理，其特征在于先低温、后高温或先高温、后低温，条件为400～450℃、0.5～1小时和800～850℃、1～2小时的两步热处理。
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