[其他]场效应晶体管组成的集成电路和一种可编程序的只读存贮器无效
申请号: | 85101045 | 申请日: | 1985-04-01 |
公开(公告)号: | CN85101045B | 公开(公告)日: | 1988-06-29 |
发明(设计)人: | 卡皮恩斯;哈蒂格林 | 申请(专利权)人: | 菲利浦光灯制造公司 |
主分类号: | G11C17/00 | 分类号: | G11C17/00 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 杨凯 |
地址: | 荷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 通道较短的场效应晶体管可望用于执行高速的逻辑操作。然而,它们不能承受起(E)EPROM必须运行的较高的编程和抹除电压。在编程周期内上述场效应晶体管均被保持在电流截止状态,其时正好通过逻辑操作将取得的信息记录下来,但是“快”晶体管却可承受所谓的较高电压。 | ||
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【主权项】:
1.一种集成在半导体基片上的逻辑存贮电路,它具有至个一个可抹可编程的存贮单元组成的存贮矩阵,该矩阵受控于由若干绝缘栅型场效应晶体管构成的一个控制部件,该控制部件包括:用于将编程电压供给所述存贮矩阵的编程装置,该编程电压高于多个处于电流导通状态的场效应晶体管源极与漏极之间的击穿电压,但低于电流截止状的击穿电压,以及还包括用于选择要编程的存贮单元的一个地址选择部件,用以将该编程电压供给这些存贮单元,其特征在于:该控制部件还包括在该编程装置将该编程电压供给一选定的存贮单元的周期内,用以使该地址选择部件的晶体管保持在电流截止状态的开关装置;该地址选择部件还包括尽管是电流截止状态,仍然保持该地址选择部件的输出端上出现的逻辑信息的装置。
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