[其他]在材料(例如半导体材料)中加工亚微型槽的方法以及用这种方法制成的器件

摘要

在阶梯形材料层上覆盖第一材料层，该层也有阶梯不平的凹槽，并在它上面生成第二掩模层和转化层，对转化层进行转化而成为可选择的腐蚀层，在除下未转化的部分之后，在第二掩模层中沿凹槽边沿形成带开口的中间掩模层。用中间掩模对第一材料层进行各向异性腐蚀处理生成沟槽。根据情况在下一层衬底区中也生成沟槽。为了形成绝缘区用氧化硅填在这些槽里。如果在硅的衬底区的上面用的是多晶硅第一材料层，则该层可分别作为掺杂质的源以及供连接用，于是可以制造各种类型的晶体管。

主权项

1.在充分均匀的第一材料层上形成至少一个窄沟槽的方法，其中的沟槽宽度由自对准方式决定，本方法的特征在于，在衬底区的主表面上提供一个第一掩模层，该掩模层至少有一个窗口或凹槽，至少在窗口区处以及在邻接的掩模层上面涂上一层充分均匀的第一材料，该材料层在窗口区处有一个凹槽，同时在第一材料层的上面接着覆盖一层充分均匀的第二掩模材料层以及充分均匀的第一转化层，在第一掩模层的初始窗口内的第二掩模层和第一转化层里保留一个凹槽，对第一可转化材料层进行有选择的转化处理从而生成中间掩模，用这种方法至少沿着第二掩模材料层凹槽的内沿形成一个窗口，此后用在第二掩模材料层里形成的掩模，在第一材料层中得到沟槽，所述对第一可转化材料层进行有选择的转化处理，包括该第一可转化层被一层充分均匀的第三层掩模材料所覆盖，将该层进行有选择的腐蚀处理，使得至少沿第一可转化层里凹槽的内沿的第三掩模层被保留下来，它能保护第一可转化层不被转化。