[其他]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 85103578 | 申请日： | 1985-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN85103578B | 公开（公告）日： | 1988-08-10 |
| 发明（设计）人： | 阿佩尔斯;马斯 | 申请（专利权）人： | 菲利浦光灯制造公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/31;H01L23/52;H01L21/90 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 吴秉芬,肖春京 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用自对准方法在一开口内形成半导体区域和金属接触区，通过一绝缘材料(15)把金属区与沿着多晶连接部分边缘的开口相隔开，所形成的防护层保持在开口内，直到从多晶硅半导体材料的均匀层中，以各向导性刻蚀法形成所述的连接部分。该方法适用于双极型晶体管和场效应晶体管的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，在这种制造方法中，沿半导体本体上绝缘层的开口中至少有一侧边缘形成至少一部分的互连图案，而在开口内，未被该部分互连图案覆盖的半导体表面至少部分暴露出来，而部分互连图案上备有绝缘材料，在下一步工序中，这些绝缘材料形成掩模的一部分，半导体器件至少在开口的面积上被质地均匀的第一层半导体材料所覆盖，其特征是第一层半导体材料由很均匀的一层防氧化材料所覆盖，然后有选择地去掉至少在开口外边的防氧化材料，将暴露出来半导体材料做部分厚度氧化，随后，在开口内去掉防氧化材料，再用各向异性腐蚀法去掉第一层半导体材料，至少把属于互连图案上的部分第一层半导体材料沿开口边缘保留下来。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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