[发明专利]在硅衬底上形成隔离硅区和场效应器件的工艺过程

摘要

在一个类似延层的硅层中形成MOS和CMOS晶体管的改进的工艺过程。先形成一些场氧化物区，接着再沉积一层多晶硅层或非晶硅层，这些硅层在这些场氧化物区之间形成“晶种窗”处同衬底接触。这硅层由衬底通过晶种窗重新结晶，晶体管就造在这层重新结晶过的硅层中。

主权项

1.在一片硅衬底上制造场效应器件的过程中，利用一些绝缘区把所述器件彼此隔离开来，改进的工艺过程的特征在于包括下列步骤：在所述衬底上形成一绝缘层；在所述绝缘层上形成掩膜部分；在所述绝缘层未加掩膜的各部分形成绝缘区，其中所述各绝缘区延伸入衬底中，从而界定了所述各绝缘区之间的窗口；蚀刻所述绝缘层和各绝缘区，使所述衬底在所述各窗口处暴露出来，在所述各绝缘区和各窗口上面形成一硅层；对所述硅层进行处理，促使所述硅层再结晶，所述再结晶过程是在所述衬底上生长出结晶，通过所述各窗口延伸入所述硅层中，再横向延伸入置于所述各绝缘区上方的所述硅层中；形成一栅极，其中所述栅极置于形成漏区和源区的所述各绝缘区上方；于是所述各绝缘区就把源区和漏区与所述衬底隔离开来。