[发明专利]金属—氧化物—半导体后部工艺无效
| 申请号： | 85104650.9 | 申请日： | 1985-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1003965B | 公开（公告）日： | 1989-04-19 |
| 发明（设计）人： | 利奥波杜;罗伯特;肯尼思;吉克;戴维 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/322 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌 |
| 地址： | 美国加里*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明可以减少导电层在光刻、合金及钝化过程中形成的缺陷，在光刻以及温度高于200℃的工艺之前，利用低温旋涂的方法在导电层上形成一个有色的玻璃层，通过在导电层上形成一个复合层的方法完成气密钝化，此复合层由两部分组成下层为张力层，上层为压缩层，整个钝化层呈现净张力特性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 后部 工艺 | ||
【主权项】：
1.在半导体本体上形成具有经刻图、经合金的导电层的工艺，包括在所说半导体本体上淀积金属导电层，其特征在于该工艺还由下列步骤组成：A.在所说导电层上利用低温旋涂法淀积一层含有染料的玻璃层；B.任何光刻所说导电层图形和温度超过200℃的工艺都要在所说低温旋涂玻璃层的所说淀积之后进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
