[其他]浸渍阴极无效
| 申请号： | 85104881 | 申请日： | 1985-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN85104881B | 公开（公告）日： | 1988-12-21 |
| 发明（设计）人： | 山本惠彦;田口贞宪;会田敏之 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01J1/14 | 分类号： | H01J1/14;H01J1/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 郁玉成 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在耐热多孔质基体内浸入电子发射材料的浸渍阴极，在此多孔质基体的电子发射面上敷以薄层，此薄层由高熔点金属和Sc(或Sc的氧化物)或者由高熔点金属与Sc及Sc的氧化物共同组成，该种浸渍阴极的特点就在于此。由于预先在基体内浸入电子发射材料，再加上形成了含Sc或Sc的氧化物的薄层，所以，由Ba、Sc和O组成的单原子层在电子发射面上就得以长寿命地存在下来。 | ||
| 搜索关键词： | 浸渍 阴极 | ||
【主权项】：
1.在耐热多孔基体内浸入电子发射材料的浸渍阴极，在此多孔质基体的电子发射面上敷以薄层，其特征在于，此耐热多孔质基体不含有Sc和Sc的氧化物，而所说薄层或由一种高熔点金属和Sc(或Sc的氧化物)，或上述高熔点金属与Sc和Sc的氧化物所组成，此薄层是由真空溅射淀积而成。
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