[其他]复合磁控溅射靶及其镀膜方法无效
| 申请号： | 85105634 | 申请日： | 1985-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1004495B | 公开（公告）日： | 1989-06-14 |
| 发明（设计）人： | 范玉殿 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 清华大学专利事务所 | 代理人： | 张善余 |
| 地址： | 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种磁控溅射靶装置，由至少两个可调场强的电磁单元拼装而成，这些单元共用一个阴极靶板和溅射电源，各个单元的靶面场强可以通过各自的电磁铁分别加以调节，从而实现各单元的功率分别调节，各个单元可以单独使用或同时使用，当各个单元分别采用异种材料的靶材时，该溅射装置可以实现镀制各种金属材料（包括铁磁材料）的合金膜，并实现合金膜成份的连续调节。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 磁控溅射 及其 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种复合磁控溅射靶装置，其特征在于是由两个或两个以上可调场强的电磁单元拼装而成的，这些单元共用一个阴极和同一个溅射电源，且单元具有各自独立的励磁电流源，并在阴极靶板内表面产生各自独立的跑道磁场。
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