[其他]半导体辐射检测器

摘要

半导体辐射检测器，其辐射检测元件由可在室温下工作的化合物半导体制成。该元件的输出加到包括一准高斯滤波器的脉冲形成放大器。该滤波器包括微分器和积分的组合；通过对微分器引起的信号脉冲高度和形成放大器输出的脉冲高度进行比较，获得每次辐射时有关电荷收集时间的信息，根据上述信息对形成放大器的输出进行校正，进而改善电荷收集不完全导致的能量分辨率衰变。还提供一种采用上述元件的半导体位置敏感辐射检测器。

主权项

1、半导体辐射检测器包括：(a)由化合物半导体制成的辐射检测元件，它可在室温下工作，响应每次辐射产生一个相应的电流信号；(b)将上述电流信号放大以产生一个相应的电压信号的前置放大器；(c)将上述来自所说前置放大装置的信号形成和放大的装置，它包括一个准高斯滤波器，该滤波器包括有一个第一微分器和一个积分器的组合体；(d)在每次辐射时获得有关电荷收集时间信息的装置，该装置将上述第一微分器的输出引起的信号的脉冲高度与上述形成和放大装置的输出脉冲高度进行比较来获得上述信息；(e)校正装置，该装置按照每次辐射有关电荷收集的信息对上述形成和放大装置输出信号的脉冲高度进行校正，以改善由于电荷收集不完全引起的能量分辨率衰变。