[其他]单晶生长装置无效
| 申请号： | 85106561 | 申请日： | 1985-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN85106561A | 公开（公告）日： | 1987-03-25 |
| 发明（设计）人： | 松谷欣也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | C30B15/22 | 分类号： | C30B15/22;C30B35/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 日本神奈川县*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一对围绕盛放熔体的坩埚的线圈。当线圈受到激励从而使其磁力线沿轴向彼此相对时，就形成了具有椭圆形等磁场分布的磁场。当适当选择了激励磁电流时，就形成了限制上部熔体热对流的磁场，同时熔体的下部则发生热对流。当熔体液面由于拉制单晶而降低时，对磁场进行控制，以使热对流限制区和热对流区之间的边界得到相应的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 装置 | ||
【主权项】：
1、单晶生长装置，包括：盛放单晶材料熔体的容器；用于加热上述容器内的熔体的加热装置；单晶拉制器、用于把籽晶的浸入熔体和拉制在熔体的固态一液态界面层中生长的单晶。用于在熔体中形成磁场的磁场形成装置其特征在于：磁场形成装置在熔体的上部形成第一磁场区域，并在熔体的下部形成第二磁场区域，第一磁场区域具有能阻止热对流的磁场强度，第二磁场区域具有不阻止热对流的磁场强度；磁场调节装置，用于使磁场的两个区域之间的界面随熔体表面下移而下移。
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