[其他]具有高击穿电压的半导体器件无效
| 申请号： | 85106895 | 申请日： | 1985-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN85106895B | 公开（公告）日： | 1988-09-07 |
| 发明（设计）人： | 江本孝朗;盐见武夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/72;H01L29/91 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 刘晖 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及到高击穿电压半导体器件，而且是与半导体衬底有相同电导型的高掺杂杂质区形成在一起的半导体器件，其中，在半导体衬底的背面，第一杂质区的对面，规定好的部位上注入高掺杂杂质，并形成高掺杂杂质区，在与第一杂质区相同的中心部位上其注入宽度为T，并且满足t1≤T≤t1+2Wo，其中t1是第一杂质区的宽度，Wo是第一杂质区和高掺杂杂质区之间沿深度方向的间隔。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 击穿 电压 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有高击穿电压的半导体器件制有：第一电导类型的半导体衬底10；在第一电导类型的半导体衬底10的规定区域中形成的一层第二电导类型的第一杂质区12，并与上述衬底之间形成个侧面；在与上述第一杂质区12相对的上述半导体衬底的背面区域中，以规定量进行注入，形成的第一电导类型的一层第一高掺杂杂质区16；用第二电导类型的保护环区或用阻性电场板极(127)环绕上述第一杂质区12；其特征在于：形成的注入区16比上述第一杂质区12宽，与上述第一杂质区的周围侧面相比，上述注入区16扩大不大于Wo；Wo是上述第一杂质区12和上述第一高掺杂杂质区16之间沿其深度方向的间隔。
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