[其他]四氯化硅氢化新工艺无效
申请号: | 85107465 | 申请日: | 1985-10-12 |
公开(公告)号: | CN85107465A | 公开(公告)日: | 1987-04-15 |
发明(设计)人: | 沈祖祥;王景华 | 申请(专利权)人: | 北京有色冶金设计研究总院;天津大沽化工厂 |
主分类号: | C01B33/08 | 分类号: | C01B33/08 |
代理公司: | 北京市第十专利代理事务所 | 代理人: | 张道智 |
地址: | 北京市复*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | SiCl4氢化新工艺,是将粉末状镍触媒与硅粉按一定比例混合,装入反应器中,在氢气氛中和430℃温度下对其进行4小时活化处理后,即可通入SiCl4与H2的混合气体,进行氢化反应,反应温度为400~500℃,压力10~20kg/cm2。在触媒的寿命有效期内,不必添加,氢化反应可连续进行。这种新工艺,操作简单、SiCl4一次转化率高、能耗较低。 | ||
搜索关键词: | 氯化 氢化 新工艺 | ||
【主权项】:
1、一种将气体SiCl4与氢气混合后,通过含有一定比例触媒的硅粉层进行氢化反应而生成SiHCl3的方法,其特征在于所选用的触媒为粉末状镍触媒,该触媒一次加入反应器中,经活化处理,氢化反应可连续进行,反应温度为400~500℃、压力10~20kg/cm2。
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