[其他]含氟的P型掺杂微晶半导体合金无效
| 申请号： | 85108047 | 申请日： | 1985-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN85108047B | 公开（公告）日： | 1988-09-07 |
| 发明（设计）人： | 萨布亨杜·古哈;詹姆斯·库尔曼;斯坦福·R·奥欣斯基 | 申请（专利权）人： | 能源转换装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/24 | 分类号： | H01L21/24;H01L31/06;H01L21/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 吴秉芬,李先春 |
| 地址： | 美国密歇根州*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种含有充份密集的晶体夹杂物的以显著改善材料性能的、含氟掺硼P型硅基半导体微晶合金，以及该合金的制造方法。包含有至少一层暴露于入射光下的这种合金的单个电池或多层电池的光生伏打器件改善了填充因子和转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 半导体 合金 | ||
【主权项】：
1.一个光生伏打结构，包括在光学上和电学上都是串联关系的一层配置在另一层上面的许多层(16b′、18b′、20b′)非晶半导体材料，这许多层包括一个P型电导层(16b′)、一个本征型层(18b′)和一个n型层(20b′)，用以在所说的本征型层(18b′)中建立一个电场区，以收集在所说区域中由于吸收入射光而产生的电子—空穴对，其特征是，所说的P型层(16b′)是一个硅基的、含氟的、掺杂硼的微晶层，其激活能低于0.1电子伏特，电导率大于0.5欧姆-1厘米-1，禁带宽度大于1.9电子伏特。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
