[其他]降低核电站中放射性的方法无效
| 申请号： | 85108112 | 申请日： | 1985-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN85108112B | 公开（公告）日： | 1987-11-04 |
| 发明（设计）人： | 大桥健也;本田卓;古谷保正;村荣二;凑昭;大角克己 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G21F9/00 | 分类号： | G21F9/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 王栋令 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 对与含有放射性物质的高压高温反应堆水相接触的金属结构元件，采用在暴露于反应堆水中之前即预先在其表面上形成氧化膜的方法降低核电站中的放射性，其特征为将所述的结构元件置于高温的环境介质中作第一步加热氧化处理，然后进一步再在比上述更高氧化能力的环境介质中进行第二步处理，由此形成比第一步氧化处理后得到的更为密实的氧化膜，本发明即藉此而实现显著地降低核电站中的放射性。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 核电站 放射性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低核电站中放射性的方法，对与含有放射物质的高温高压反应堆水相接触的金属结构元件，在该金属元件被暴露在所述的反应堆水中之前即预先在所述的金属结构元件的表面上形成氧化膜，其特征为有下述步骤：将所述的结构元件放在高温200℃或以上的水或蒸汽的环境介质中加热该结构元件进行第一步氧化处理；以及进一步将上述处理过的结构元件置于具有溶解氧溶度高于200ppb的水或蒸汽的环境介质中，对该处理过的结构元件加热进行第二步氧化处理，并且在比第一步氧化处理的所述环境介质具有更高氧化能力的条件下形成一层比第一步氧化处理获得的氧化膜更密切的氧化膜。
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