[其他]制造半导体集成电路器件的方法无效
| 申请号： | 85109742 | 申请日： | 1985-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN85109742B | 公开（公告）日： | 1988-06-29 |
| 发明（设计）人： | 池田修二;长泽幸一;元吉真;永井清;目黑怜 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/72 | 分类号： | H01L21/72;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 郁玉成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一个共用的工序中形成了P和N沟道MOS场效应晶体管的P和N型源或漏区的一些接触孔以后，通过这些接触孔至少在N型源或漏区以离子注入法注入一种N型杂质。把此N型杂质退火以形成一个比N型源或漏区为深的N型区。在退火处理期间，以一层绝缘薄膜覆盖住此N型源或漏区。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 集成电路 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体集成电路器件的方法，它包括：(a)在半导体基片的主表面上形成每一个N沟道MOS场效应晶体管以及P沟道MOS场效应晶体管的工序，所说N沟道MOS场效应晶体管有N型半导体区域，而所说P沟道MOS场效应晶体管有P型半导体区域；(b)形成一层用来覆盖所说那些MOS场效应晶体管的第一绝缘薄膜的工序；(c)形成在所说第一绝缘薄膜内的一些接触孔的工序，所说N和P型半导体的各自区域上至少形成有所说的这些接触孔当中的一个孔；(d)形成一层用来覆盖所说的基片的所说主表面之一部分的第二绝缘薄膜的工序，所说的主表面的一部分通过所说那些接触孔暴露在外面；(e)通过所说的接触孔，至少在所说N型半导体区域注入一种N型杂质的离子注入工序，所说的杂质是通过所说第二绝缘薄膜导入所说基片的，其中，注入上述N型杂质而形成的半导体区域比所说的N型半导体区域要深；(f)除去所说第二绝缘薄膜的步骤；以及(g)在所说接触孔中形成导电薄膜的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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