[其他]半导体钙离子传感器无效
| 申请号： | 85201229 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85201229U | 公开（公告）日： | 1986-02-12 |
| 发明（设计）人： | 付庭治;黄德培;朱春生 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 半导体钙离子传感器是一种电化学分析仪器的微型探头，它是由Mos管、敏感膜、电极杆组装成。由Mos管栅极引出一根铂丝，在其表面涂复一层敏感膜，此膜用二(2—辛基苯基磷酸)钙组成，Mos管引出的探头接口处用硅橡胶密封。此电极测试性能稳定，灵敏度高，能专一的检测待测液中钙离子的活度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 离子 传感器 | ||
【主权项】：
1、半导体钙离子传感器是一种电化学分析仪器的微型探头，它是由MOS管，敏感膜、电极杆组装成。本发明的技术特点是敏感膜由二(2-辛基苯基磷酸)钙，四氢呋喃、PVC粉和邻苯二甲酸二丁酯制成。在MOS管栅极上引出铂丝，先将铂丝表面用乙醇和乙醚处理，然后在铂丝表面涂复敏感膜。MOS管与铂丝接口处用硅橡胶密封成为探头。
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