[其他]CMOS恒温集成流量传感器无效
申请号: | 85204747 | 申请日: | 1985-11-08 |
公开(公告)号: | CN85204747U | 公开(公告)日: | 1986-12-31 |
发明(设计)人: | 童勤义;黄金彪 | 申请(专利权)人: | 南京工学院 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;G01F1/00 |
代理公司: | 南京工学院专利事务所 | 代理人: | 姚建楠 |
地址: | 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型采用功率的变化作为对流速的量度,只采用一只NMOS管作为温度敏感元件,并且在整个芯片中全部采用MOS器件,将温度敏感元件,运算放大器、加热元件用常规CMOS硅栅等平面工艺实现单片集成,采用单一的5V电源工作,并采用CMOS运算放大器控制芯片温度恒定,灵敏度很高。它可用于各种气体和液体的测量,流速的测定,集成电路生产工艺中的实时控制,还可用于其它量(如真空等)的测量。 | ||
搜索关键词: | cmos 恒温 集成 流量传感器 | ||
【主权项】:
1.一种CMOS恒温集成流量传感器,由温度敏感元件〔Q1〕、运算放大器〔A〕、加热元件〔Q2〕所组成,其特征在于该传感器将温度敏感元件〔Q1〕、运算放大器〔A〕、加热元件〔Q2〕用常规CMOS硅栅等平面工艺实现单片集成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的