[其他]锗酸铋(BGO)单晶的表面抛光剂无效
| 申请号： | 86100517 | 申请日： | 1986-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN86100517B | 公开（公告）日： | 1988-03-02 |
| 发明（设计）人： | 徐润元 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09G1/00;C09K3/14;B24B1/00 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 聂淑仪,潘振苏 |
| 地址： | 上海市长宁*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 采用α-Al2O3〔精磨用粒度范围是5＜d＜25(微米)；抛光用粒度范围是1＜d＜5(微米)〕。为抛光磨料，0.5～20％(体积)丙三醇作为润滑剂，合成树脂抛光布作为抛光膜，以及水为载液，并按0.5～2公斤磨料(经预处理的)加1～30升水，配成的抛光剂，用于BGO大单晶体的抛光，达到了优质(粗糙度分别达到Ra≤0.45，Ra≤0.03微米)、高效、低耗和无毒的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 锗酸铋 bgo 表面 抛光 | ||
【主权项】：
1.一种适合于BGO单晶体的表面抛光剂，其特征在于：a.所使用的抛光磨料(a-Al2O3)的粒度范围是：精磨5＜d＜25微米；抛光1＜d＜5微米。b.抛光剂的组成及配比范围是：磨料a-Al2O30.5～2公斤(经预处理)润滑剂丙三醇0.5～20％(体积)(按载液体积计算)载液水1～30升c.与抛光剂匹配的抛光膜是通常用于半导体硅单晶抛光用的合成树脂抛光布。
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