[发明专利]半导体集成电路无效
| 申请号： | 86100522.8 | 申请日： | 1986-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1003149B | 公开（公告）日： | 1989-01-25 |
| 发明（设计）人： | 西井雅晴;栗原一夫 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;东京三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/72 | 分类号： | H01L29/72 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 马连富,许新根 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 岛区16上所形成的双极晶体管的hFE值由发射极区20和第1基极区18的杂质浓度与基极宽度B所决定。因此用同一制造工艺扩散第1基极区18及发射极区20时，各晶体管的hFE值大致相等。本发明为调整晶体管的hFE值设置了第2基极区23。部分第2基极区23与发射极区20相重叠并做得比第1基极区18要深。这样，通过第2基极区23使基极宽度B′增大，可使hFE值变小。同时通过选择发射极区20与第2基极区23的重叠量使hFE的值进行变化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，它包括一个在第1导电型半导体基片上形成的第1导电型和与第1导电型反向导电型的第2导电型的外延层，一个把该外延层分离为岛状所形成的数个岛区，一个在该岛区表面层上以同一扩散深度和同一杂质浓度形成为上下两层的第1导电型第1基极区和第2导电型的发射极区；其特征在于该种半导体集成电路由数个双极晶体管构成，通过设置部分重叠于一个或几个特定的晶体管发射极区且扩散深度深于第1基极区的第2基极区，使上述特定晶体管的hFE值小于通常的晶体管的值，并且通过选择的所述第2基极区和所述发射极区的重叠量为所定的量，使被集成的晶体管具有两种以上不同的hFE值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社;东京三洋电机株式会社，未经三洋电机株式会社;东京三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/86100522.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
