[其他]辐射温度传感器用的硅探测器筛选方法无效

专利信息
申请号: 86100837 申请日: 1986-01-10
公开(公告)号: CN86100837A 公开(公告)日: 1987-09-09
发明(设计)人: 姜世昌;吴淑嫒 申请(专利权)人: 机械工业部上海工业自动化仪表研究所
主分类号: G01J5/20 分类号: G01J5/20
代理公司: 机械部上海工业自动化仪表研究所专利事务所 代理人: 朱淑球,欧阳坚
地址: 上海市漕宝*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于一种辐射温度测定技术,是按照非平衡式部分辐射温度传感器一致性的指标进行预先筛选硅光电池探测器,然后在一个温度点统调的方法代替传统的逐点温度比较的方法获得非平衡式部分辐射温度传感器分度特性,并使其分度特性取得一致。既节约了调试时间和能源的消耗,同时降低了成本,也简化了辐射温度传感器的维修工作。
搜索关键词: 辐射 温度 传感 器用 探测器 筛选 方法
【主权项】:
1、一种使非平衡式部分辐射温度传感器分度特性一致性的方法,其特征是控照对非平衡式部分辐射温度传感器一致性的指标要求,对硅探测器进行预先筛选。在一个温度点上对装有筛选合格的传感器进行统调代替逐点温度比较的方法获得非平衡式部分辐射温度传感器分度特性的一致性。
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