[其他]浸渍阴极无效
| 申请号： | 86101082 | 申请日： | 1986-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN86101082B | 公开（公告）日： | 1988-12-28 |
| 发明（设计）人： | 山本惠彦;田口贞宪;会田敏之;度部勇人;川濑进 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01J1/14 | 分类号： | H01J1/14;H01J1/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 徐汝巽,刘梦梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种浸渍阴极，其特点是在浸渍阴极圆片表面至少有两层薄膜下面是由如Os、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Re、Mo、W、Ta等组成的高熔点金属薄膜；上层是含Sc2O3的高熔点金属层，并覆盖于下层之上。浸渍阴极圆片是用电子发射材料浸渍难熔多孔质基体而制成。本发明也涉及有此阴极的电子管。此阴极表面有长时期稳定的低逸出功单原子层。 | ||
| 搜索关键词： | 浸渍 阴极 | ||
【主权项】：
1.一种浸渍阴极，它是在难熔多孔质基体内浸渍有电子发射材料而形成的，浸渍阴极表面上涂覆有两层薄膜，其特征在于下层是高熔点金属薄膜；上层是含Sc2O3的高熔点金属薄膜，并复盖于下层薄膜之上。
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