[其他]半导体存贮器无效
| 申请号： | 86101206 | 申请日： | 1986-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN86101206B | 公开（公告）日： | 1988-08-24 |
| 发明（设计）人： | 柳泽一正 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 姚珊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在此公开的是一个动态RAM，其中刷新地址计数器每次完成许多步增量操作，通过利用(2°+1)分频制计数器电路最高有效位，将一个地址切换电路切换到存于地址存贮器电路中的特定刷新地址上去。借此，刷新那些数据保持时间比较短的存贮单元。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存贮器 | ||
【主权项】：
1.一个半导体存贮器，它具有刷新控制电路，其特征在于，该刷新控制电路包括形成刷新地址信号的地址计数器电路、指出具体刷新地址的地址存贮器电路、以及发送在该存贮器电路中存有的具体刷新地址的地址切换电路，并且上还地址计数器电路每次完成许多步增量操作。
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