[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 86101209.7 | 申请日： | 1986-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1009887B | 公开（公告）日： | 1990-10-03 |
| 发明（设计）人： | 彼得·丹尼斯·斯科维尔;彼得·弗里德·布洛姆利;罗格·莱斯利·贝克;加里·约翰·托姆金斯 | 申请（专利权）人： | 标准电话电报公共有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/72 | 分类号： | H01L29/72;H01L21/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 沙捷 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种完全自对准的多晶硅发射极双极晶体管P+基极接触(12)的自对准是通过利用发射极台面(7)的氧化侧壁(8)(侧壁隔层)作为P+基极接触注入掩模的一部分而获得的，集成极接触(13)的对准是利用多晶硅对准台面(14)的氧化侧壁而获得的，该对准台面限定在同发射极台面(7)样的多晶硅中。但淀积在氧化物(2)上，而不是淀积在注入的基区(5)中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种制造双极型晶体管的方法，其特征在于包括下列步骤：在半导体衬底中基区的未氧化表面上限定一多晶硅发射极台面；在该半导体基底上进行氧化处理从而生成氧化层，部分氧化层扩展到包括顶都和侧壁的发射极台面上；将基极接触区注入通过该氧化层与基区接触的衬底；至少利用发射极台面的一个侧壁上的氧化层作为注入掩模的一部分，这样，基极接触区就发射极台面自对准，注入掩模的另一部分由光刻胶提供。
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