[其他]半导体器件无效
| 申请号： | 86101789 | 申请日： | 1986-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN86101789A | 公开（公告）日： | 1986-11-19 |
| 发明（设计）人： | 彼得·丹尼斯·斯科维尔;彼得·弗里德·布洛姆利;罗格·莱斯利·巴克 | 申请（专利权）人： | 标准电话电报公共有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/70;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路，其中，双极晶体管(1)和CMOS晶体管(2、3)在衬底上同时形成。CMOS晶体管的栅(11、21)与双极晶体管的发射极(29)用同一材料形成，双极器件的基极接触由相当于n阱MOS管的源、漏区(17、18)的区域(27、27a)构成，并由基区注入(28)桥接。增加两次光刻掩膜及一次基区注入改进了普通的CMOS工艺。一次光刻步骤决定(28)的范围，另一次光刻步骤决定氧化层(30)在(28)上的范围。基极接触用半自对准的方法产生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路，它包括一个具有一个栅极的MOS晶体管和一个具有与栅材料相同的发射极的双极晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
