[其他]单畴热释电双掺硫酸甘氨酸晶体的水溶液生长无效
| 申请号： | 86101972 | 申请日： | 1986-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1003658B | 公开（公告）日： | 1989-03-22 |
| 发明（设计）人： | 房昌水;王民;张克从 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 济南三达专利事务所 | 代理人： | 孙君 |
| 地址： | 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 水溶液生长双掺单畴热释电晶体ＡＴＧＳＡｓ的水溶生长，属于溶液降温生长晶体的技术领域。将甘氨酸，硫酸，Ｌ－丙氨酸和砷酸按比例溶于一定体积的蒸馏水中，装入生长瓶。在单畴性好的ＡＴＧＳＡｓ或ＡＴＧＳ上切取片状晶种，用夹具固定，沿（０１０）面推移生长。周期４０天左右。本发明方法简便，安全，效果良好，宜于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 单畴热释电双掺 硫酸 甘氨酸 晶体 水溶液 生长 | ||
【主权项】：
1、双掺单畴热释电晶体ATGSAs的水溶液生长，以甘氨酸与硫酸为原料，掺杂少量L-丙氨酸，用水溶液降温生长，本发明的特征在于，用砷酸部分取代硫酸，生成TGS系列双掺晶体ATGSAs采用单面生长技术，进行ATGSAs大单晶的生长。
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