[发明专利]单畴热释电双掺硫酸甘氨酸晶体的水溶液生长无效
| 申请号： | 86101972.5 | 申请日： | 1986-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1003658B | 公开（公告）日： | 1989-03-22 |
| 发明（设计）人： | 房昌水;王民;张克从 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B7/08 |
| 代理公司： | 山东大学专利事务所 | 代理人： | 孙君 |
| 地址： | 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 水溶液生长双掺单畴热释电晶体ATGSAs的水溶生长，属于溶液降温生长晶体的技术领域。将甘氨酸，硫酸，L-丙氨酸和砷酸按比例溶于一定体积的蒸馏水中，装入生长瓶。在单畴性好的ATGSAs或ATGS上切取片状晶种，用夹具固定，沿(010)面推移生长。周期40天左右。本发明方法简便，安全，效果良好，宜于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 单畴热释电双掺 硫酸 甘氨酸 晶体 水溶液 生长 | ||
【主权项】：
1.一种双掺单畴热释电晶体ATGSAs的水溶液生长方法，生长装置、生长温度范围和降温速度等条件与纯TGS晶体生长相同，其特征在于，掺入L-丙氨酸部分取代甘氨酸，L-丙氨酸对甘氨酸的取代比例为8～18％M；掺入砷酸部分取代硫酸，砷酸对硫酸的取代比例为20～50％M：利用垂直于b轴的晶片做晶种，采用单面定向技术生长ATGSAs大单晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学，未经山东大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/86101972.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
