[发明专利]氧化锡薄膜气敏元件无效

专利信息
申请号: 86102281.5 申请日: 1986-04-05
公开(公告)号: CN1010250B 公开(公告)日: 1990-10-31
发明(设计)人: 松本毅;冈田治;中村裕司 申请(专利权)人: 大阪瓦斯株式会社
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12;H01L49/00
代理公司: 中国专利代理有限公司 代理人: 叶凯东,肖春京
地址: 日本国大阪府大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在氧化锡薄膜气敏元件中,用Cuk作为射线源进行气体检测表面的单晶取向性和结晶性的X线衍射时,设其最强衍射线强度为I1、第二、第三、第四和第五强的衍射线强度分别为I2、I3、I4和I5,此时,这些衍射线强度的两者或三者之间有一种特定的数值关系,而且最强衍射线强度的半值宽度大于某一特定值。
搜索关键词: 氧化 薄膜 元件
【主权项】:
1.一种氧化锡薄膜气敏元件,由硅基片、二氧化硅绝缘薄膜、氧化锡薄膜和白金电极构成,其特征在于所述氧化锡薄膜的气体检测表面在用Cuk作为射线源对其单晶取向和结晶性作X线衍射时,设最强衍射线强度为I1,第二、第三、第四和第五强的衍射线强度分别为I2、I3、I4和I5,这时(a)(211)面或者(110)面的线强度最强,I2/I1≤0.6,I1的半值宽度大于0.58;或者(b)I1是(110)面或(101)面的线强度,I2为(101)面或(110)面的线强度,I2/I1≥0.5,I3/I2<0.6,I1的半值宽度大于0.54;或者(c)I1是(110)面或者(211)面的线强度,I2是(101)面或(110)面的线强度,I2/I1≥0.5,I3/I2<0.6,I1的半值宽度大于0.58;或者(d)I1、I2和I3分别为(210)面、(101)面和(211)面的任何一面的线强度,I3/I1≥0.5,I4/I3<0.6,I1的半值宽度大于0.61;或者(e)I1、I2、I3和I4分别为(110)面、(101)面、(211)面和(301)面中任一面的线强度,I4/I2≥0.5,I5/I4<0.6,I1的半值宽度大于0.73;或者(f)I1为(301)面的线强度,I2/I1≤0.6,I1的半值宽度大于0.60;或者(g)I1为(211)面或(301)面的线强度,I2为
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