[其他]绝缘体结构上的硅互联埋层无效
| 申请号： | 86102300 | 申请日： | 1986-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN86102300A | 公开（公告）日： | 1987-02-25 |
| 发明（设计）人： | J·C·郑 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/74 | 分类号： | H01L21/74 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 美国加利福尼亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于在一工艺中形成互联的改进工艺，其中一再结晶的多硅层是形成在一绝缘层上，并通过形成在绝缘层上的几个种窗产生再结晶。在衬底上形成一掺杂区之后淀积多晶硅层。在绝缘层上通过窗口至少使掺杂区的一部与多晶硅层联接。通过该窗口发生再结晶，例如掺杂区被电气联接到形成在再结晶层上的半导体器件的源区和漏区。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 结构 硅互联埋层 | ||
【主权项】：
1、用于在一绝缘层上形成一半导体层的一工艺中，其中所说的绝缘层是形成在衬底之上，所说的半导体层是形成在所述的绝缘层之上，以及各器件在所述的半导体层内形成，用于在衬底上形成一互联的改进，所述器件其特征在于包括以下几个步骤：在所述的衬底上形成一掺杂区，之后在所述的绝缘层上淀积半导体层，在所述掺杂区上面，通过所述绝缘层形成一窗口，在所述掺杂区上面，在所述窗口上形成所述半导体层，因此所述的掺杂区形成一互联，用于所述的器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
