[其他]一种等离子阳极化方法无效
| 申请号： | 86102538 | 申请日： | 1986-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN86102538B | 公开（公告）日： | 1988-11-02 |
| 发明（设计）人： | 李琼 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 华东师范大学专利事务所 | 代理人： | 汤锦森,俞允超 |
| 地址： | 上海市普*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种等离子阳极化方法。它能够以较简单的设备，可靠地重复地大批量地在300～600℃温度条件下，对半导体晶片进行自身氧化。经退火处理后，氧化层和界面特性都能达到高温热氧化水平，却克服了高温热氧化固有的溅射效应，杂质再分布，鸟嘴效应等有害影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子 阳极 方法 | ||
【主权项】：
1、一种等离子阳极化方法，其中含有反应室，电感耦合的射频放电，热阴极直流放电，工作气体为O2，本发明的特征在于采用射频电源和直流电源共同激发的气体放电，真空反应室中加工作气压0.5～10Torr。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
