[其他]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 86102691 | 申请日： | 1986-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN86102691A | 公开（公告）日： | 1986-12-17 |
| 发明（设计）人： | 田端辉夫 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;东京三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/72 | 分类号： | H01L21/72;H01L21/04;H01L27/04;H01L29/72 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。其中，双隔离扩散区的下扩散层加在衬底表面上，在该下扩散层上形成外延层。该层主要朝上向外扩散入外延层，同时从外延层表面深扩散一元件扩散区，然后浅扩散双隔离扩散区的上扩散层，由此抑制上扩散层的横向延伸，改善集成度。本发明器件中双隔离扩散区、集电区、基区及发射区都形成在外延层宽度内。该器件的基区宽度起伏减少，过渡频率fT和电流增益hFE得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、制造半导体集成电路的一种方法，它包括下列工艺过程：在另一种导电类型的半导体衬底表面的一个区域(此处将要制做一个元件)上形成一种导电类型埋层，以及在半导体衬底表面上形成的上述埋层周围的一个区域上形成另一种导电类型的双隔离扩散区的下扩散层的工艺过程；在上述衬底表面上形成一种导电类型外延层的工艺过程；在上述外延层中朝上向外扩散上述埋层及上述双隔离扩散区的下扩散层的工艺过程；由上述外延层的表面扩散形成另一种导电类型的双隔离扩散区的上扩散层。使之延伸到上述下扩散层上的工艺过程；在由上述双隔离扩散区围绕的孤立区中扩散形成所需的元件扩散区以形成半导体元件的工艺过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
