[其他]利用氟化气体混合物进行硅的等离子体蚀刻无效
| 申请号： | 86103233 | 申请日： | 1986-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN86103233A | 公开（公告）日： | 1987-02-18 |
| 发明（设计）人： | 曾志华 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 巫肖南 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 利用氟化气体混合物进行等离子体蚀刻硅的一个方法。在蚀刻室里，利用CHF3和SF6混合物形成等离子体对硅进行蚀刻。通过改变CHF3/SF6混合物中CHF3的百分比可以控制蚀刻的定向度。该方法对被蚀刻的硅表面无不利影响，从而不需要为补救硅表面而进行蚀刻后的热处理步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 氟化 气体 混合物 进行 等离子体 蚀刻 | ||
【主权项】：
1、用气体混合物形成的等离子体蚀刻硅方法的一种改进，这种改进包括：由含有CHF3和SF6的二组份混合物形成等离子体，CHF3的含量大于SF6的含量，从而获得了硅的定向蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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