[其他]具有能在集成电路中集成的霍耳元件的装置无效
申请号: | 86103454 | 申请日: | 1986-05-21 |
公开(公告)号: | CN86103454A | 公开(公告)日: | 1986-11-19 |
发明(设计)人: | 波波维克·拉迪沃耶 | 申请(专利权)人: | 兰迪斯·吉尔楚格股份公司 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L29/82;H01L29/96 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 瑞士楚格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本装置由电流发生器(21)、霍耳元件(22)及调节电路(24至27)组成,该调节电路用于稳定包括在(22)中的阻挡层厚度,以保证(22)的时间及温度稳定性和线性。阻挡层至少从上面覆盖(22)的有源区。所述调节电路由实际值整形器(24)、额定值发生器(25)和额定值/实测值微分器(26、27)组成,(26,27)由差分放大器(26)和反相放大器(27)串联组成。(24)是绝对值发生器,它包括控制装置(28)、转换开关(29)、反相放大器(30)及电压跟随器(31)。 | ||
搜索关键词: | 具有 集成电路 集成 元件 装置 | ||
【主权项】:
1、具有一个可在一个集成电路中集成的霍尔元件的装置,该霍尔元件具有2个传感器引线接触头和至少2个电流引线接触头。这些引线接触头排列在霍尔元件的表面,其特征在于:至少在霍尔元件(22)的有源区(7)和霍尔元件(22)的表面之间配置着一个阻挡层(11或者12、7),该阻挡层从上面覆盖着霍尔元件(22)的有源区(7)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的