[其他]硅圆片的加强材料无效
| 申请号： | 86103467 | 申请日： | 1986-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN86103467B | 公开（公告）日： | 1988-09-14 |
| 发明（设计）人： | 布赖恩·李·科里 | 申请（专利权）人： | 特克特朗尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L29/76 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 吴秉芬,李先春 |
| 地址： | 美国俄勒冈州·比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一个要减薄的硅物体的加强做法，是在其一个正表面形成一层机械支承镀层；这层呈精细分开形状的镀层粘附于该正表面，含有至少18％重量的硅。 | ||
| 搜索关键词： | 硅圆片 加强 材料 | ||
【主权项】：
1.一种加强板状硅体的方法，在硅体的表面加有一层由至少40％重量硅石的玻璃材料组成的镀层，其特征在于，所说玻璃材料呈精细分开状态，将此镀层材料加工成一层粘附在硅体上的坚固的机械支承物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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