[其他]制造氮化硅粉末的方法无效
| 申请号： | 86104331 | 申请日： | 1986-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN86104331A | 公开（公告）日： | 1987-01-21 |
| 发明（设计）人： | 上∴聪;船桥敏彦;内村良治;小口征男 | 申请（专利权）人： | 川崎制铁株式会社 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 罗英铭,陈季壮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种制造β-Si3N4含量高，具有细粒和均匀粒度的氮化硅粉末的方法。该方法包括把SiO粉末和C粉末，如果需要的话，还有Si粉末，和/或Si3N4的粉末一起混合，然后放在N2分压不低于2个大气压的一种氮化气氛中，在1,400-1,800℃温度下进行灼烧。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氮化 粉末 方法 | ||
【主权项】：
1、生产氮化粉末硅的一种方法，该方法包括将SiO粉末与一种含碳的材料混合，然后将生成的混合物放在氮气的分压力不低于2个大气压的一种氮化气氛中在1，400-1，800℃的温度下进行灼烧。
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