[发明专利]半导体激光器无效
| 申请号： | 86105580.2 | 申请日： | 1986-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1006835B | 公开（公告）日： | 1990-02-14 |
| 发明（设计）人： | 茅根直树;鱼见和久;福泽董;松枝秀明;梶村俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01S3/18 | 分类号： | H01S3/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个众所周知的半导体激光器内，由各自厚度均小于电子的德布罗意波长的阻挡层和激活层或势井层所组成的一种多量子井型激活层被掺入一种杂质，而且在阻挡层内所形成的杂质密度高于势井层中的密度。在多量子井激活层被包围在P-型年和n-型敷层之间的情况下。势井层不进行掺杂，位于与势井层相接触的阻挡层部分也不进行掺杂，使接近P-型敷层的其余阻挡层部分成为n-型电导率，同时，使靠近n-型敷层的阻挡层部分成为P-型电导率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器，包括：半导体衬底；形成在该半导体衬底上的半导体叠层结构，它带有激活区和敷层以及用于提供载流子以使激活区发光的一对电极，其特征在于激活区具有多量子阱结构，该多量子阱结构包括一厚度小于电子的德布罗意波长及的阱层和一阻挡层，而且该多量子阱结构包括掺有浓度不低于1×1018cm-3且不高于2×1019cm-3的杂质的部分。
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