[其他]光电型器件及其制造方法无效
申请号: | 86105984 | 申请日: | 1986-08-07 |
公开(公告)号: | CN86105984A | 公开(公告)日: | 1987-04-29 |
发明(设计)人: | 邑田健治;岸靖雄 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 肖春京,吴秉芬 |
地址: | 日本守口市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种光电型器件,基片表面上有多个透明电极,这些电极分别连接多个光电转换元上。在每个电极的一端上有一个导电体和一个绝缘体。在基片表面上还有一个非晶硅半导体光敏层,它覆盖着透明电极,导电体和绝缘体。在半导体光敏层上有一个底电极,将激光束从底电极一侧照射到绝缘体上,则使底电极及其下面的半导体光敏层的被照射部分断开。从底电极侧将激光束照射到导电体上,每个光电转换元的底电极通过电体与相邻的透光电极相连通。 | ||
搜索关键词: | 光电 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种光电器件,其特征在于它包含有:一个具有绝缘表面的基片,若干个第一电极,它们形成在所述的基片的绝缘表面上,并分属于各个光电转换元,半导体光敏层,它形成在所述的基底的绝缘表面上并覆盖着所述的第一电极。若干个导体,它们形成在第一电极之上并在半导体光敏层之下,由所述的第一电极之间的间隔限定的边缘部分,若干个绝缘体,它们形成在靠近所述导体的地方。第三电极,它形成在所述的半导体光敏层上,而且,用能量束从所述的第二电极一侧向所述的绝缘部位照射,由此将半导体光敏层和第二电极分断开来以形成一个个的光电转换元。用能量束从所述的第二电极一侧向所述的导体部位照射,由此将每一光电转换元的第二电极与相邻的光电转换元的第一电极进行连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的